JFFC5N65C datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: JFFC5N65C  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 55 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm

Тип корпуса: TO220F

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для JFFC5N65C

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JFFC5N65C даташит

 ..1. Size:829K  jiaensemi
 jfpc5n65c jffc5n65c.pdf pdf_icon

JFFC5N65C

JFPC5N65C JFFC5N65C 650V N-Channel MOSFET General Description Features This Power MOSFET is produced using advanced - 4.5A , 650V, RDS(on)typ. = 2.3 @VGS = 10 V planar stripe DMOS technology. This advanced - Low gate charge technology has been especially tailored to minimize - High ruggedness on-state resistance, provide superior switching - Fast switching performance

Другие IGBT... JFPC20N65C, JFPC24N50C, JFFM24N50C, JFPC2N80C, JFFM12N80C, JFPC5N60C, JFFM5N60C, JFPC5N65C, IRFZ44, JFPC5N80C, JFFM5N80C, JFPC5N90C, JFFM5N90C, JFPC7N60C, JFFM7N60C, JFPC7N65C, JFFC7N65C