Справочник MOSFET. JFFC5N65C

 

JFFC5N65C Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: JFFC5N65C
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 55 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для JFFC5N65C

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JFFC5N65C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:829K  jiaensemi
 jfpc5n65c jffc5n65c.pdf pdf_icon

JFFC5N65C

JFPC5N65C JFFC5N65C 650V N-Channel MOSFET General Description Features This Power MOSFET is produced using advanced - 4.5A , 650V, RDS(on)typ. = 2.3@VGS = 10 V planar stripe DMOS technology. This advanced - Low gate charge technology has been especially tailored to minimize - High ruggedness on-state resistance, provide superior switching - Fast switching performance

Другие MOSFET... JFPC20N65C , JFPC24N50C , JFFM24N50C , JFPC2N80C , JFFM12N80C , JFPC5N60C , JFFM5N60C , JFPC5N65C , IRFZ44 , JFPC5N80C , JFFM5N80C , JFPC5N90C , JFFM5N90C , JFPC7N60C , JFFM7N60C , JFPC7N65C , JFFC7N65C .

History: SI9955DY | JFAM30N50E | HM4402B | VS3P07C | DH020N03B | IRF250P224 | SPB07N60C2

 

 
Back to Top

 


 
.