Справочник MOSFET. JFFC5N65C

 

JFFC5N65C Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: JFFC5N65C
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 15 nC
   trⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 55 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

JFFC5N65C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:829K  jiaensemi
 jfpc5n65c jffc5n65c.pdf pdf_icon

JFFC5N65C

JFPC5N65C JFFC5N65C 650V N-Channel MOSFET General Description Features This Power MOSFET is produced using advanced - 4.5A , 650V, RDS(on)typ. = 2.3@VGS = 10 V planar stripe DMOS technology. This advanced - Low gate charge technology has been especially tailored to minimize - High ruggedness on-state resistance, provide superior switching - Fast switching performance

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top

 


 
.