JFFM7N60C MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: JFFM7N60C
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 24 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 96 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.6 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F

Búsqueda de reemplazo de MOSFET JFFM7N60C

JFFM7N60C Datasheet (PDF)

..1. Size:838K jiaensemi
jfpc7n60c jffm7n60c.pdf

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8.1. Size:566K jiaensemi
jfpc7n90c jffm7n90c.pdf

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8.2. Size:982K jiaensemi
jffm7n90c.pdf

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Liste

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