JFFM7N60C
MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: JFFM7N60C
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40
W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600
V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30
V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4
V
|Id|ⓘ - Максимально
допустимый постоянный ток стока: 7
A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150
°C
Qgⓘ -
Общий заряд затвора: 24
nC
trⓘ -
Время нарастания: 22
ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 96
pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.6
Ohm
Тип корпуса:
TO220F
Аналог (замена) для JFFM7N60C
JFFM7N60C
Datasheet (PDF)
..1. Size:838K jiaensemi
jfpc7n60c jffm7n60c.pdf JFPC7N60C JFFM7N60C 600V N-Channel MOSFET General Description Features This Power MOSFET is produced using advanced - 7A, 600V, RDS(on)typ. = 1.2@VGS = 10 V planar stripe DMOS technology. This advanced - Low gate charge technology has been especially tailored to minimize - High ruggedness on-state resistance, provide superior switching - Fast switching performance, a
8.1. Size:566K jiaensemi
jfpc7n90c jffm7n90c.pdf JFPC7N90C JFFM7N90C N- MOS / N-CHANNEL POWER MOSFET RoHS FEATURESLOW THERMAL RESISTANCE FAST SWITCHING HIGH INPUT RESISTANCE RoHS COMPLIANT APPLICATION: ELECTRONIC BALLAST ELECTRONIC TRANSFORMER SWITCH MODE POWER SU
8.2. Size:982K jiaensemi
jffm7n90c.pdf JFFM7N90C 900V N-Channel MOSFET General Description This Power MOSFET is produced using advanced planar stripe DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. These devices are well suited for high efficiency s
Другие MOSFET... IRFP360LC
, IRFP3710
, IRFP430
, IRFP431
, IRFP432
, IRFP433
, IRFP440
, IRFP440A
, IRFP250
, IRFP442
, IRFP443
, IRFP448
, IRFP450
, IRFP450A
, IRFP450FI
, IRFP450LC
, IRFP451
.