JFQM3N120E MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: JFQM3N120E

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Máxima disipación de potencia (Pd): 65 W

Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 1200 V

Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V

Corriente continua de drenaje |Id|: 3 A

Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4.5 V

Carga de la puerta (Qg): 17.5 nC

Tiempo de subida (tr): 7 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 22 pF

Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 7.5 Ohm

Paquete / Cubierta: TO3PH

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JFQM3N120E Datasheet (PDF)

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JFQM3N150C 1500V N-Channel MOSFET General Description This Power MOSFET is produced using advanced self-aligned planar technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. These devices can be used in various power switchi

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