JFQM3N120E - описание и поиск аналогов

 

JFQM3N120E. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: JFQM3N120E

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 65 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 1200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 22 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 7.5 Ohm

Тип корпуса: TO3PH

Аналог (замена) для JFQM3N120E

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JFQM3N120E даташит

 ..1. Size:818K  jiaensemi
 jfqm3n120e.pdf pdf_icon

JFQM3N120E

JFQM3N120E 1200V N-Channel MOSFET General Description This Power MOSFET is produced using advanced planar stripe DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. These devices are well suited for high efficiency

 7.1. Size:1362K  jiaensemi
 jfqm3n150c.pdf pdf_icon

JFQM3N120E

JFQM3N150C 1500V N-Channel MOSFET General Description This Power MOSFET is produced using advanced self-aligned planar technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. These devices can be used in various power switchi

Другие MOSFET... JFPC8N65C , JFPC8N65D , JFPC8N80C , JFFM8N80C , JFPC9N50C , JFFM9N50C , JFPC9N90C , JFFM9N90C , AON7408 , JFQM3N150C , JFUX5N50D , JFDX5N50D , JNFH20N60C , JNFH20N60E , MT06N008A , CS2698ANR , EMB09A3HP .

History: SRC60R075BS | 2SK3036 | 2SJ360 | KHB8D8N25F

 

 

 

 

↑ Back to Top
.