JNFH20N60E Todos los transistores

 

JNFH20N60E MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: JNFH20N60E

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 59.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 135 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1150 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.5 Ohm

Encapsulados: TO220F

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JNFH20N60E datasheet

 ..1. Size:809K  jiaensemi
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JNFH20N60E

JNFH20N60E 600V N-Channel MOSFET General Description This Power MOSFET is produced using advanced planar stripe DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. These devices are well suited for high efficiency

 5.1. Size:843K  jiaensemi
 jnfh20n60c.pdf pdf_icon

JNFH20N60E

JNFH20N60C 600V N-Channel MOSFET General Description This Power MOSFET is produced using advanced planar stripe DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. These devices are well suited for high efficiency

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History: 2N6966JANTX | MTD6N20ET4G | WMS15P02T1

 

 

 


 
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