Справочник MOSFET. JNFH20N60E

 

JNFH20N60E MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: JNFH20N60E

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 59.5 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 20 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 64 nC

Время нарастания (tr): 135 ns

Выходная емкость (Cd): 1150 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.5 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для JNFH20N60E

 

 

JNFH20N60E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:809K  jiaensemi
 jnfh20n60e.pdf

JNFH20N60E JNFH20N60E

JNFH20N60E 600V N-Channel MOSFET General Description This Power MOSFET is produced using advanced planar stripe DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. These devices are well suited for high efficiency

 5.1. Size:843K  jiaensemi
 jnfh20n60c.pdf

JNFH20N60E JNFH20N60E

JNFH20N60C 600V N-Channel MOSFET General Description This Power MOSFET is produced using advanced planar stripe DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. These devices are well suited for high efficiency

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRLB4132 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top