Справочник MOSFET. JNFH20N60E

 

JNFH20N60E Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: JNFH20N60E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 59.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 135 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1150 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.5 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

JNFH20N60E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:809K  jiaensemi
 jnfh20n60e.pdf pdf_icon

JNFH20N60E

JNFH20N60E 600V N-Channel MOSFET General Description This Power MOSFET is produced using advanced planar stripe DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. These devices are well suited for high efficiency

 5.1. Size:843K  jiaensemi
 jnfh20n60c.pdf pdf_icon

JNFH20N60E

JNFH20N60C 600V N-Channel MOSFET General Description This Power MOSFET is produced using advanced planar stripe DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. These devices are well suited for high efficiency

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: VN0109N5 | IRC8405 | EMB12P03V | 7N65KG-T2Q-T | 2SK56 | SQJ460AEP | IRF6217

 

 
Back to Top

 


 
.