CS2698ANR Todos los transistores

 

CS2698ANR MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CS2698ANR
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 180 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 235 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO3P
 

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CS2698ANR Datasheet (PDF)

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CS2698ANR

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS2698 ANR General Description VDSS 500 V CS2698 ANR, the silicon N-channel Enhanced ID 15 A PD(TC=25) 180 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 0.3 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power

Otros transistores... JFFM9N90C , JFQM3N120E , JFQM3N150C , JFUX5N50D , JFDX5N50D , JNFH20N60C , JNFH20N60E , MT06N008A , IRFP260 , EMB09A3HP , PJF4NA65A , QM3090M6 , S80N18R , S80N18S , S80N18RN , S80N18RP , SRC60R017FB .

History: NTTFS4H05NTAG | IPP200N15N3 | IRFIZ14GPBF | 2N7002W-TP | JMTL400N04A | STU35L01A | JMTC58N06B

 

 
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