CS2698ANR Todos los transistores

 

CS2698ANR MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CS2698ANR
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 180 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 235 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO3P
 

 Búsqueda de reemplazo de CS2698ANR MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

CS2698ANR Datasheet (PDF)

 ..1. Size:248K  1
 cs2698anr.pdf pdf_icon

CS2698ANR

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS2698 ANR General Description VDSS 500 V CS2698 ANR, the silicon N-channel Enhanced ID 15 A PD(TC=25) 180 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 0.3 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power

Otros transistores... JFFM9N90C , JFQM3N120E , JFQM3N150C , JFUX5N50D , JFDX5N50D , JNFH20N60C , JNFH20N60E , MT06N008A , AO3400 , EMB09A3HP , PJF4NA65A , QM3090M6 , S80N18R , S80N18S , S80N18RN , S80N18RP , SRC60R017FB .

History: JFFC10N65C | SFG10S10PF | SST60R360S2E | SSF2439E | WMM15N70C4 | STB21N65M5 | 2SK895

 

 
Back to Top

 


 
.