Справочник MOSFET. CS2698ANR

 

CS2698ANR Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CS2698ANR
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 180 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 235 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm
   Тип корпуса: TO3P
 

 Аналог (замена) для CS2698ANR

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CS2698ANR Datasheet (PDF)

 ..1. Size:248K  1
 cs2698anr.pdf pdf_icon

CS2698ANR

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS2698 ANR General Description VDSS 500 V CS2698 ANR, the silicon N-channel Enhanced ID 15 A PD(TC=25) 180 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 0.3 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power

Другие MOSFET... JFFM9N90C , JFQM3N120E , JFQM3N150C , JFUX5N50D , JFDX5N50D , JNFH20N60C , JNFH20N60E , MT06N008A , AO3400 , EMB09A3HP , PJF4NA65A , QM3090M6 , S80N18R , S80N18S , S80N18RN , S80N18RP , SRC60R017FB .

History: WMM18N50C4 | IRF8788PBF | SL120N03R

 

 
Back to Top

 


 
.