FDME410NZT MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FDME410NZT
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.4 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.026 Ohm
Encapsulados: MICROFET
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FDME410NZT datasheet
fdme410nzt.pdf
February 2010 FDME410NZT N-Channel PowerTrench MOSFET 20 V, 7 A, 26 m Features General Description This Single N-Channel MOSFET has been designed using Max rDS(on) = 26 m at VGS = 4.5 V, ID = 7 A Fairchild Semiconductor s advanced Power Trench process to Max rDS(on) = 31 m at VGS = 2.5 V, ID = 6 A optimize the rDS(ON) @ VGS = 1.5 V on special MicroFET Max rDS(on) = 39
fdme430nt.pdf
October 2013 FDME430NT N-Channel PowerTrench MOSFET 30 V, 6 A, 40 m Features General Description This single N-Channel MOSFET has been designed using Max rDS(on) = 40 m at VGS = 4.5 V, ID = 6 A Fairchild Semiconductor s advanced PowerTrench process to Max rDS(on) = 51 m at VGS = 2.5 V, ID = 5 A optimize the rDS(ON) @ VGS = 1.8 V on special MicroFET Max rDS(on) = 71 m
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Liste
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