FDME410NZT Todos los transistores

 

FDME410NZT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FDME410NZT
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.4 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.026 Ohm
   Paquete / Cubierta: MICROFET
 

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FDME410NZT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:299K  fairchild semi
 fdme410nzt.pdf pdf_icon

FDME410NZT

February 2010FDME410NZTN-Channel PowerTrench MOSFET 20 V, 7 A, 26 mFeatures General DescriptionThis Single N-Channel MOSFET has been designed using Max rDS(on) = 26 m at VGS = 4.5 V, ID = 7 AFairchild Semiconductors advanced Power Trench process to Max rDS(on) = 31 m at VGS = 2.5 V, ID = 6 Aoptimize the rDS(ON) @ VGS = 1.5 V on special MicroFET Max rDS(on) = 39

 9.1. Size:238K  fairchild semi
 fdme430nt.pdf pdf_icon

FDME410NZT

October 2013FDME430NTN-Channel PowerTrench MOSFET 30 V, 6 A, 40 mFeatures General DescriptionThis single N-Channel MOSFET has been designed using Max rDS(on) = 40 m at VGS = 4.5 V, ID = 6 AFairchild Semiconductors advanced PowerTrench process to Max rDS(on) = 51 m at VGS = 2.5 V, ID = 5 Aoptimize the rDS(ON) @ VGS = 1.8 V on special MicroFET Max rDS(on) = 71 m

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