FDME410NZT - описание и поиск аналогов

 

FDME410NZT. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FDME410NZT

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.4 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.026 Ohm

Тип корпуса: MICROFET

Аналог (замена) для FDME410NZT

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDME410NZT даташит

 ..1. Size:299K  fairchild semi
 fdme410nzt.pdf pdf_icon

FDME410NZT

February 2010 FDME410NZT N-Channel PowerTrench MOSFET 20 V, 7 A, 26 m Features General Description This Single N-Channel MOSFET has been designed using Max rDS(on) = 26 m at VGS = 4.5 V, ID = 7 A Fairchild Semiconductor s advanced Power Trench process to Max rDS(on) = 31 m at VGS = 2.5 V, ID = 6 A optimize the rDS(ON) @ VGS = 1.5 V on special MicroFET Max rDS(on) = 39

 9.1. Size:238K  fairchild semi
 fdme430nt.pdf pdf_icon

FDME410NZT

October 2013 FDME430NT N-Channel PowerTrench MOSFET 30 V, 6 A, 40 m Features General Description This single N-Channel MOSFET has been designed using Max rDS(on) = 40 m at VGS = 4.5 V, ID = 6 A Fairchild Semiconductor s advanced PowerTrench process to Max rDS(on) = 51 m at VGS = 2.5 V, ID = 5 A optimize the rDS(ON) @ VGS = 1.8 V on special MicroFET Max rDS(on) = 71 m

Другие MOSFET... FDMC8882 , STP423S , FDMC8884 , STP35N10 , FDME1023PZT , FDME1024NZT , FDME1034CZT , STP15L01F , K3569 , FDME510PZT , FDML7610S , STM9930A , FDMQ8203 , STM9926 , STM9435 , FDMS0312S , STM8820 .

History: P0260ATF | SL8N100K

 

 

 

 

↑ Back to Top
.