Справочник MOSFET. FDME410NZT

 

FDME410NZT Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FDME410NZT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 9.2 nC
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.026 Ohm
   Тип корпуса: MICROFET
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

FDME410NZT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:299K  fairchild semi
 fdme410nzt.pdf pdf_icon

FDME410NZT

February 2010FDME410NZTN-Channel PowerTrench MOSFET 20 V, 7 A, 26 mFeatures General DescriptionThis Single N-Channel MOSFET has been designed using Max rDS(on) = 26 m at VGS = 4.5 V, ID = 7 AFairchild Semiconductors advanced Power Trench process to Max rDS(on) = 31 m at VGS = 2.5 V, ID = 6 Aoptimize the rDS(ON) @ VGS = 1.5 V on special MicroFET Max rDS(on) = 39

 9.1. Size:238K  fairchild semi
 fdme430nt.pdf pdf_icon

FDME410NZT

October 2013FDME430NTN-Channel PowerTrench MOSFET 30 V, 6 A, 40 mFeatures General DescriptionThis single N-Channel MOSFET has been designed using Max rDS(on) = 40 m at VGS = 4.5 V, ID = 6 AFairchild Semiconductors advanced PowerTrench process to Max rDS(on) = 51 m at VGS = 2.5 V, ID = 5 Aoptimize the rDS(ON) @ VGS = 1.8 V on special MicroFET Max rDS(on) = 71 m

Другие MOSFET... FDMC8882 , STP423S , FDMC8884 , STP35N10 , FDME1023PZT , FDME1024NZT , FDME1034CZT , STP15L01F , 2SK3568 , FDME510PZT , FDML7610S , STM9930A , FDMQ8203 , STM9926 , STM9435 , FDMS0312S , STM8820 .

History: AP60N03GJ | SIHF820AL | IRF9Z24NS | RF1S30N06LE | IRF7413GPBF | TPP70R950C | MTP1013C3

 

 
Back to Top

 


 
.