FDME510PZT Todos los transistores

 

FDME510PZT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FDME510PZT
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.4 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.037 Ohm
   Paquete / Cubierta: MICROFET
 

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FDME510PZT Datasheet (PDF)

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FDME510PZT

February 2010FDME510PZTP-Channel PowerTrench MOSFET -20 V, -5 A, 37 mFeatures General DescriptionThis device is designed specifically for battery charging or load Max rDS(on) = 37 m at VGS = -4.5 V, ID = -5 Aswitching in cellular handset and other ultraportable applications. Max rDS(on) = 50 m at VGS = -2.5 V, ID = -4 AIt features a MOSFET with low on-state resistan

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History: 2SK552 | NTMFS5C670NLT3G | JMTP3010D

 

 
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