FDME510PZT MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FDME510PZT
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.4 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.037 Ohm
Encapsulados: MICROFET
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FDME510PZT datasheet
fdme510pzt.pdf
February 2010 FDME510PZT P-Channel PowerTrench MOSFET -20 V, -5 A, 37 m Features General Description This device is designed specifically for battery charging or load Max rDS(on) = 37 m at VGS = -4.5 V, ID = -5 A switching in cellular handset and other ultraportable applications. Max rDS(on) = 50 m at VGS = -2.5 V, ID = -4 A It features a MOSFET with low on-state resistan
Otros transistores... STP423S , FDMC8884 , STP35N10 , FDME1023PZT , FDME1024NZT , FDME1034CZT , STP15L01F , FDME410NZT , IRFP260 , FDML7610S , STM9930A , FDMQ8203 , STM9926 , STM9435 , FDMS0312S , STM8820 , FDMS2502SDC .
History: EMF03N02HR
History: EMF03N02HR
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