FDME510PZT - аналоги и даташиты транзистора

 

FDME510PZT - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: FDME510PZT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.037 Ohm
   Тип корпуса: MICROFET
 

 Аналог (замена) для FDME510PZT

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDME510PZT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:305K  fairchild semi
 fdme510pzt.pdf pdf_icon

FDME510PZT

February 2010FDME510PZTP-Channel PowerTrench MOSFET -20 V, -5 A, 37 mFeatures General DescriptionThis device is designed specifically for battery charging or load Max rDS(on) = 37 m at VGS = -4.5 V, ID = -5 Aswitching in cellular handset and other ultraportable applications. Max rDS(on) = 50 m at VGS = -2.5 V, ID = -4 AIt features a MOSFET with low on-state resistan

Другие MOSFET... STP423S , FDMC8884 , STP35N10 , FDME1023PZT , FDME1024NZT , FDME1034CZT , STP15L01F , FDME410NZT , 4435 , FDML7610S , STM9930A , FDMQ8203 , STM9926 , STM9435 , FDMS0312S , STM8820 , FDMS2502SDC .

 

 
Back to Top

 


 
.