FDME510PZT - описание и поиск аналогов

 

FDME510PZT. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FDME510PZT

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.4 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1 V

Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 16 nC

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.037 Ohm

Тип корпуса: MICROFET

Аналог (замена) для FDME510PZT

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDME510PZT даташит

 ..1. Size:305K  fairchild semi
 fdme510pzt.pdf pdf_icon

FDME510PZT

February 2010 FDME510PZT P-Channel PowerTrench MOSFET -20 V, -5 A, 37 m Features General Description This device is designed specifically for battery charging or load Max rDS(on) = 37 m at VGS = -4.5 V, ID = -5 A switching in cellular handset and other ultraportable applications. Max rDS(on) = 50 m at VGS = -2.5 V, ID = -4 A It features a MOSFET with low on-state resistan

Другие MOSFET... STP423S , FDMC8884 , STP35N10 , FDME1023PZT , FDME1024NZT , FDME1034CZT , STP15L01F , FDME410NZT , IRFP260 , FDML7610S , STM9930A , FDMQ8203 , STM9926 , STM9435 , FDMS0312S , STM8820 , FDMS2502SDC .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.