SRH03P098LMTR-G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SRH03P098LMTR-G
Código: 03P098LMG
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 2.8 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 25 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 12.6 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 1.3 V
Carga de la puerta (Qg): 28 nC
Tiempo de subida (tr): 15 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 308 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0098 Ohm
Paquete / Cubierta: SOP8
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SRH03P098LMTR-G
SRH03P098LMTR-G Datasheet (PDF)
srh03p098l.pdf
Datasheet 9.8m, 30V, P-Channel Power MOSFET SRH03P098L General Description Symbol The Sanrise SRH03P098L P-Channel logic Drain 5,6,7,8enhancement mode power field effect transistor is produced using high cell density, DMOS trench technology. This high density process is Gate 4especially tailored to minimize on-state resistance. The SRH03P098L break down voltage is -30V
srh03p142l.pdf
Datasheet 14.2m, 30V, P-Channel Power MOSFET SRH03P142L General Description Symbol Drain 5,6,7,8The Sanrise SRH03P142L P-Channel logic enhancement mode power field effect transistor is produced using high cell density, DMOS trench Gate 4technology. This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. Source 1,2,3The SRH03P142L break down vol
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