SRH03P098LMTR-G MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SRH03P098LMTR-G
Маркировка: 03P098LMG
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.8 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.3 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12.6 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 28 nC
trⓘ - Время нарастания: 15 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 308 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0098 Ohm
Тип корпуса: SOP8
Аналог (замена) для SRH03P098LMTR-G
SRH03P098LMTR-G Datasheet (PDF)
srh03p098l.pdf
Datasheet 9.8m, 30V, P-Channel Power MOSFET SRH03P098L General Description Symbol The Sanrise SRH03P098L P-Channel logic Drain 5,6,7,8enhancement mode power field effect transistor is produced using high cell density, DMOS trench technology. This high density process is Gate 4especially tailored to minimize on-state resistance. The SRH03P098L break down voltage is -30V
srh03p142l.pdf
Datasheet 14.2m, 30V, P-Channel Power MOSFET SRH03P142L General Description Symbol Drain 5,6,7,8The Sanrise SRH03P142L P-Channel logic enhancement mode power field effect transistor is produced using high cell density, DMOS trench Gate 4technology. This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. Source 1,2,3The SRH03P142L break down vol
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: SUN830I | SUN830F | SUN830DN | SUN830D | SUN82A20CI | SUN50A20CI | SUN09A40D | SUN05A50ZF | SUN05A50ZD | SUN05A25F | SRN1865FD | SRN1860FD | SRN1860F | SRN1665FD | SRN1660FD | SRN1660F