SRH04N260L Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SRH04N260L 📄📄
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 3 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.026 Ohm
Encapsulados: SOP-8
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Búsqueda de reemplazo de SRH04N260L MOSFET
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SRH04N260L datasheet
srh04n260l.pdf
Datasheet 26m , 40V, N-Channel Power MOSFET SRH04N260L General Description Symbol The Sanrise SRH04N260L uses advanced trench Drain 5,6,7,8 technology. It has extremely low on resistance, low gate charge and fast switching time. This Gate 4 device is ideal for high frequency switching and synchronous rectification. The SRH04N260L break down voltage is 40V Source 1,2,3 and it
srh04p500l.pdf
Datasheet 50m , 40V, P-Channel Power MOSFET SRH04P500L General Description Symbol The Sanrise SRH04P500L uses advanced trench Drain 5,6,7,8 technology. It has low on resistance, low gate charge and fast switching time. This device is ideal for motor driver and BMS applications. Gate 4 The SRH04P500L break down voltage is 40V and it has a high rugged avalanche characteristics
Otros transistores... SRC70R380E, SRC70R670E, SRC70R900, SRH03P098LMTR-G, SRH03P098LD33TR-G, SRH03P142LMTR-G, SRH03P142LD33TR-G, SRH03P142LDTR-G, IRFB4115, SRH04P500L, SRT03N010LD56, SRT03N010LD56TR-GS, SRT03N011L, SRT03N016L, SRT03N020L, SRT03N023H, SRT03N023L
Parámetros del MOSFET. Cómo se afectan entre sí.
History: SI7668ADP | DHF80N08B22 | 2SK1011-01 | DSE054N10N3 | HMS4030
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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