SRH04N260L Todos los transistores

 

SRH04N260L MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SRH04N260L
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 3 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.026 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP-8
 

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SRH04N260L datasheet

 ..1. Size:424K  sanrise-tech
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SRH04N260L

Datasheet 26m , 40V, N-Channel Power MOSFET SRH04N260L General Description Symbol The Sanrise SRH04N260L uses advanced trench Drain 5,6,7,8 technology. It has extremely low on resistance, low gate charge and fast switching time. This Gate 4 device is ideal for high frequency switching and synchronous rectification. The SRH04N260L break down voltage is 40V Source 1,2,3 and it

 9.1. Size:466K  sanrise-tech
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SRH04N260L

Datasheet 50m , 40V, P-Channel Power MOSFET SRH04P500L General Description Symbol The Sanrise SRH04P500L uses advanced trench Drain 5,6,7,8 technology. It has low on resistance, low gate charge and fast switching time. This device is ideal for motor driver and BMS applications. Gate 4 The SRH04P500L break down voltage is 40V and it has a high rugged avalanche characteristics

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