SRH04N260L datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SRH04N260L  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 3 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.026 Ohm

Тип корпуса: SOP-8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SRH04N260L

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SRH04N260L даташит

 ..1. Size:424K  sanrise-tech
 srh04n260l.pdf pdf_icon

SRH04N260L

Datasheet 26m , 40V, N-Channel Power MOSFET SRH04N260L General Description Symbol The Sanrise SRH04N260L uses advanced trench Drain 5,6,7,8 technology. It has extremely low on resistance, low gate charge and fast switching time. This Gate 4 device is ideal for high frequency switching and synchronous rectification. The SRH04N260L break down voltage is 40V Source 1,2,3 and it

 9.1. Size:466K  sanrise-tech
 srh04p500l.pdf pdf_icon

SRH04N260L

Datasheet 50m , 40V, P-Channel Power MOSFET SRH04P500L General Description Symbol The Sanrise SRH04P500L uses advanced trench Drain 5,6,7,8 technology. It has low on resistance, low gate charge and fast switching time. This device is ideal for motor driver and BMS applications. Gate 4 The SRH04P500L break down voltage is 40V and it has a high rugged avalanche characteristics

Другие IGBT... SRC70R380E, SRC70R670E, SRC70R900, SRH03P098LMTR-G, SRH03P098LD33TR-G, SRH03P142LMTR-G, SRH03P142LD33TR-G, SRH03P142LDTR-G, IRFB4115, SRH04P500L, SRT03N010LD56, SRT03N010LD56TR-GS, SRT03N011L, SRT03N016L, SRT03N020L, SRT03N023H, SRT03N023L