SRT12N058HS2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SRT12N058HS2
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 133 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 120 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 104 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 49.9 nC
Tiempo de subida (tr): 6.5 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 1300 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0058 Ohm
Paquete / Cubierta: TO263
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SRT12N058HS2
SRT12N058HS2 Datasheet (PDF)
4.1. Size:1670K sanrise-tech
srt12n058h.pdf
srt12n058h.pdf
Datasheet 5.8m, 120V, N-Channel Power MOSFET SRT12N058H General Description Symbol The Sanrise SRT12N058H is a low voltage power Drain 5,6,7,8MOSFET, fabricated using advanced split gate trench technology. The resulting device has Gate 4extremely low on resistance, low gate charge and fast switching time, making it especially suitable for applications which require superior
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