SRT12N058HS2 Todos los transistores

 

SRT12N058HS2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SRT12N058HS2
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 133 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 120 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 104 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 6.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1300 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0058 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263
 

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SRT12N058HS2 Datasheet (PDF)

 4.1. Size:1670K  sanrise-tech
 srt12n058h.pdf pdf_icon

SRT12N058HS2

Datasheet 5.8m, 120V, N-Channel Power MOSFET SRT12N058H General Description Symbol The Sanrise SRT12N058H is a low voltage power Drain 5,6,7,8MOSFET, fabricated using advanced split gate trench technology. The resulting device has Gate 4extremely low on resistance, low gate charge and fast switching time, making it especially suitable for applications which require superior

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History: NP34N055HLE | IRFR4105PBF | SFP041N100C3 | NTTFS3A08PZ | IRLZ14S | FS50KM-2 | IPP029N06N

 

 
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