Справочник MOSFET. SRT12N058HS2

 

SRT12N058HS2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SRT12N058HS2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 133 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 120 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 104 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 6.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1300 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0058 Ohm
   Тип корпуса: TO263
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SRT12N058HS2 Datasheet (PDF)

 4.1. Size:1670K  sanrise-tech
 srt12n058h.pdf pdf_icon

SRT12N058HS2

Datasheet 5.8m, 120V, N-Channel Power MOSFET SRT12N058H General Description Symbol The Sanrise SRT12N058H is a low voltage power Drain 5,6,7,8MOSFET, fabricated using advanced split gate trench technology. The resulting device has Gate 4extremely low on resistance, low gate charge and fast switching time, making it especially suitable for applications which require superior

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: IRFB3006 | PMN70XPE | STW25NM50N | NTP2955 | 8820 | LR024N | SMK0460D

 

 
Back to Top

 


 
.