SRT12N058HS2. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SRT12N058HS2

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 133 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 120 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 104 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1300 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0058 Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для SRT12N058HS2

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SRT12N058HS2 даташит

 4.1. Size:1670K  sanrise-tech
 srt12n058h.pdf pdf_icon

SRT12N058HS2

Datasheet 5.8m , 120V, N-Channel Power MOSFET SRT12N058H General Description Symbol The Sanrise SRT12N058H is a low voltage power Drain 5,6,7,8 MOSFET, fabricated using advanced split gate trench technology. The resulting device has Gate 4 extremely low on resistance, low gate charge and fast switching time, making it especially suitable for applications which require superior

Другие IGBT... SRT10N230HD, SRT10N230HM, SRT10N230HD56, SRT10N230LD56, SRT10N230LM, SRT10N230LD, SRT12N058HD56, SRT12N058HTC, IRF3205, SRT15N050HTC, SRT15N050HS2, SRT15N050HT, SRT15N050HTL, SRT15N059HTC, SRT15N059HS2, SRT15N059HT, SRT15N059HTL