SRT20N090HTC MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SRT20N090HTC
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 265 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1200 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.009 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
- Selección de transistores por parámetros
SRT20N090HTC Datasheet (PDF)
srt20n090h.pdf

Datasheet9.0m, 200V, N-Channel Power MOSFET SRT20N090HGeneral Description SymbolThe Sanrise SRT20N090H is a low voltage powerMOSFET, fabricated using advanced split gatetrench technology. The resulting device hasextremely low on resistance, low gate charge andfast switching time, making it especially suitablefor applications which require superior powerdensity and synchronou
Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
History: TSM2NB60CH | DMC2041UFDB | HRS140N06K | IRF624A | FP10W50C | SMP40N10 | IXFT14N80P
History: TSM2NB60CH | DMC2041UFDB | HRS140N06K | IRF624A | FP10W50C | SMP40N10 | IXFT14N80P



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
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