Справочник MOSFET. SRT20N090HTC

 

SRT20N090HTC Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SRT20N090HTC
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 265 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1200 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для SRT20N090HTC

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SRT20N090HTC Datasheet (PDF)

 4.1. Size:1534K  sanrise-tech
 srt20n090h.pdf pdf_icon

SRT20N090HTC

Datasheet9.0m, 200V, N-Channel Power MOSFET SRT20N090HGeneral Description SymbolThe Sanrise SRT20N090H is a low voltage powerMOSFET, fabricated using advanced split gatetrench technology. The resulting device hasextremely low on resistance, low gate charge andfast switching time, making it especially suitablefor applications which require superior powerdensity and synchronou

Другие MOSFET... SRT15N090HS2 , SRT15N090HD56 , SRT15N110HD56 , SRT15N110HTC , SRT15N110L , SRT15N750LD , SRT15N750LM , SRT15N750LD56 , IRF9540 , SRT20N090HS2 , 2SK3995 , SVT077R5NT , SVT077R5ND , SVT077R5NS , WML38N60C2 , WMK38N60C2 , WMN38N60C2 .

History: WMQ020N03LG4 | CRST040N10N | WMK15N65C2 | SSF65R120S2 | D7509 | NP33N06YDG | IRFR6215

 

 
Back to Top

 


 
.