SRT20N090HS2 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SRT20N090HS2

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 265 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1200 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.009 Ohm

Encapsulados: TO263

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SRT20N090HS2 datasheet

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SRT20N090HS2

Datasheet 9.0m , 200V, N-Channel Power MOSFET SRT20N090H General Description Symbol The Sanrise SRT20N090H is a low voltage power MOSFET, fabricated using advanced split gate trench technology. The resulting device has extremely low on resistance, low gate charge and fast switching time, making it especially suitable for applications which require superior power density and synchronou

Otros transistores... SRT15N090HD56, SRT15N110HD56, SRT15N110HTC, SRT15N110L, SRT15N750LD, SRT15N750LM, SRT15N750LD56, SRT20N090HTC, P55NF06, 2SK3995, SVT077R5NT, SVT077R5ND, SVT077R5NS, WML38N60C2, WMK38N60C2, WMN38N60C2, WMM38N60C2