SRT20N090HS2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SRT20N090HS2
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 265 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 200 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 120 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 52.6 nC
Tiempo de subida (tr): 9 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 1200 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.009 Ohm
Paquete / Cubierta: TO263
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SRT20N090HS2
SRT20N090HS2 Datasheet (PDF)
4.1. Size:1534K sanrise-tech
srt20n090h.pdf
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Datasheet9.0m, 200V, N-Channel Power MOSFET SRT20N090HGeneral Description SymbolThe Sanrise SRT20N090H is a low voltage powerMOSFET, fabricated using advanced split gatetrench technology. The resulting device hasextremely low on resistance, low gate charge andfast switching time, making it especially suitablefor applications which require superior powerdensity and synchronou
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