SRT20N090HS2. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SRT20N090HS2

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 265 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1200 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для SRT20N090HS2

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SRT20N090HS2 даташит

 4.1. Size:1534K  sanrise-tech
 srt20n090h.pdf pdf_icon

SRT20N090HS2

Datasheet 9.0m , 200V, N-Channel Power MOSFET SRT20N090H General Description Symbol The Sanrise SRT20N090H is a low voltage power MOSFET, fabricated using advanced split gate trench technology. The resulting device has extremely low on resistance, low gate charge and fast switching time, making it especially suitable for applications which require superior power density and synchronou

Другие IGBT... SRT15N090HD56, SRT15N110HD56, SRT15N110HTC, SRT15N110L, SRT15N750LD, SRT15N750LM, SRT15N750LD56, SRT20N090HTC, P55NF06, 2SK3995, SVT077R5NT, SVT077R5ND, SVT077R5NS, WML38N60C2, WMK38N60C2, WMN38N60C2, WMM38N60C2