Справочник MOSFET. SRT20N090HS2

 

SRT20N090HS2 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SRT20N090HS2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 265 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1200 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm
   Тип корпуса: TO263

 Аналог (замена) для SRT20N090HS2

 

 

SRT20N090HS2 Datasheet (PDF)

 4.1. Size:1534K  sanrise-tech
 srt20n090h.pdf

SRT20N090HS2 SRT20N090HS2

Datasheet9.0m, 200V, N-Channel Power MOSFET SRT20N090HGeneral Description SymbolThe Sanrise SRT20N090H is a low voltage powerMOSFET, fabricated using advanced split gatetrench technology. The resulting device hasextremely low on resistance, low gate charge andfast switching time, making it especially suitablefor applications which require superior powerdensity and synchronou

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: ZVN0120A

 

 
Back to Top