SRT20N090HS2 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SRT20N090HS2
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 265 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 200 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 120 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 52.6 nC
Время нарастания (tr): 9 ns
Выходная емкость (Cd): 1200 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.009 Ohm
Тип корпуса: TO263
Аналог (замена) для SRT20N090HS2
SRT20N090HS2 Datasheet (PDF)
4.1. Size:1534K sanrise-tech
srt20n090h.pdf
srt20n090h.pdf
Datasheet9.0m, 200V, N-Channel Power MOSFET SRT20N090HGeneral Description SymbolThe Sanrise SRT20N090H is a low voltage powerMOSFET, fabricated using advanced split gatetrench technology. The resulting device hasextremely low on resistance, low gate charge andfast switching time, making it especially suitablefor applications which require superior powerdensity and synchronou
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
History: FQB34N20LTM
