SVT077R5NT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SVT077R5NT
Código: 077R5NT
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 150 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 68 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 25 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 95 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 90 nC
Tiempo de subida (tr): 98 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 296 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0075 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SVT077R5NT
SVT077R5NT Datasheet (PDF)
svt077r5nt svt077r5nd svt077r5ns.pdf
SVT077R5NT/D/S 95A68V N 2SVT077R5NT/D/S N MOS 1 LVMOS 3
svt078r0nt svt078r0ns svt078r0nstr.pdf
SVT078R0NT/S 88A68V N 2SVT078R0NT/S N MOS LVMOS 1
svt078r0nd.pdf
RUMWSVT078R0ND68V N-Channel Power MosfetUMW SVT078R0NDGeneral DescriptionThese N-channel enhancement mode power mosfets usedadvanced trench technology design, provided excellent Rdsonand low gate charge. Which accords with the RoHS standard.FeaturesVDS = 68V,ID =88ARDS(ON),6.3m(Typ) @ VGS =10VLow On-ResistanceLow gate chargeFast switchingLow reverse transfer capa
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