SVT077R5NT. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SVT077R5NT

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 68 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 95 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 98 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 296 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0075 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для SVT077R5NT

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SVT077R5NT даташит

 ..1. Size:442K  1
 svt077r5nt svt077r5nd svt077r5ns.pdf pdf_icon

SVT077R5NT

 9.1. Size:346K  silan
 svt078r0nt svt078r0ns svt078r0nstr.pdf pdf_icon

SVT077R5NT

SVT078R0NT/S 88A 68V N 2 SVT078R0NT/S N MOS LVMOS 1

 9.2. Size:1010K  umw-ic
 svt078r0nd.pdf pdf_icon

SVT077R5NT

R UMW SVT078R0ND 68V N-Channel Power Mosfet UMW SVT078R0ND General Description These N-channel enhancement mode power mosfets used advanced trench technology design, provided excellent Rdson and low gate charge. Which accords with the RoHS standard. Features VDS = 68V,ID =88A RDS(ON),6.3m (Typ) @ VGS =10V Low On-Resistance Low gate charge Fast switching Low reverse transfer capa

Другие IGBT... SRT15N110HTC, SRT15N110L, SRT15N750LD, SRT15N750LM, SRT15N750LD56, SRT20N090HTC, SRT20N090HS2, 2SK3995, 7N65, SVT077R5ND, SVT077R5NS, WML38N60C2, WMK38N60C2, WMN38N60C2, WMM38N60C2, WMJ38N60C2, AONR32340C