Справочник MOSFET. SVT077R5NT

 

SVT077R5NT Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SVT077R5NT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 68 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 95 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 98 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 296 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0075 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для SVT077R5NT

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SVT077R5NT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:442K  1
 svt077r5nt svt077r5nd svt077r5ns.pdf pdf_icon

SVT077R5NT

SVT077R5NT/D/S 95A68V N 2SVT077R5NT/D/S N MOS 1 LVMOS 3

 9.1. Size:346K  silan
 svt078r0nt svt078r0ns svt078r0nstr.pdf pdf_icon

SVT077R5NT

SVT078R0NT/S 88A68V N 2SVT078R0NT/S N MOS LVMOS 1

 9.2. Size:1010K  umw-ic
 svt078r0nd.pdf pdf_icon

SVT077R5NT

RUMWSVT078R0ND68V N-Channel Power MosfetUMW SVT078R0NDGeneral DescriptionThese N-channel enhancement mode power mosfets usedadvanced trench technology design, provided excellent Rdsonand low gate charge. Which accords with the RoHS standard.FeaturesVDS = 68V,ID =88ARDS(ON),6.3m(Typ) @ VGS =10VLow On-ResistanceLow gate chargeFast switchingLow reverse transfer capa

Другие MOSFET... SRT15N110HTC , SRT15N110L , SRT15N750LD , SRT15N750LM , SRT15N750LD56 , SRT20N090HTC , SRT20N090HS2 , 2SK3995 , STP75NF75 , SVT077R5ND , SVT077R5NS , WML38N60C2 , WMK38N60C2 , WMN38N60C2 , WMM38N60C2 , WMJ38N60C2 , AONR32340C .

History: IRC740PBF | 2SK974L | SSFN3313 | PMEB2516P | IRFB59N10D | FW206 | STB75NF75T4

 

 
Back to Top

 


 
.