SVT077R5NS MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SVT077R5NS
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 68 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 95 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 98 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 296 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0075 Ohm
Encapsulados: TO263
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SVT077R5NS datasheet
svt078r0nt svt078r0ns svt078r0nstr.pdf
SVT078R0NT/S 88A 68V N 2 SVT078R0NT/S N MOS LVMOS 1
svt078r0nd.pdf
R UMW SVT078R0ND 68V N-Channel Power Mosfet UMW SVT078R0ND General Description These N-channel enhancement mode power mosfets used advanced trench technology design, provided excellent Rdson and low gate charge. Which accords with the RoHS standard. Features VDS = 68V,ID =88A RDS(ON),6.3m (Typ) @ VGS =10V Low On-Resistance Low gate charge Fast switching Low reverse transfer capa
Otros transistores... SRT15N750LD , SRT15N750LM , SRT15N750LD56 , SRT20N090HTC , SRT20N090HS2 , 2SK3995 , SVT077R5NT , SVT077R5ND , IRF630 , WML38N60C2 , WMK38N60C2 , WMN38N60C2 , WMM38N60C2 , WMJ38N60C2 , AONR32340C , HCS80R380S , HY3007P .
History: 4AK17
History: 4AK17
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
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