SVT077R5NS Todos los transistores

 

SVT077R5NS MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SVT077R5NS
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 68 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 95 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 98 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 296 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0075 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263
 

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SVT077R5NS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:442K  1
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SVT077R5NS

SVT077R5NT/D/S 95A68V N 2SVT077R5NT/D/S N MOS 1 LVMOS 3

 9.1. Size:346K  silan
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SVT077R5NS

SVT078R0NT/S 88A68V N 2SVT078R0NT/S N MOS LVMOS 1

 9.2. Size:1010K  umw-ic
 svt078r0nd.pdf pdf_icon

SVT077R5NS

RUMWSVT078R0ND68V N-Channel Power MosfetUMW SVT078R0NDGeneral DescriptionThese N-channel enhancement mode power mosfets usedadvanced trench technology design, provided excellent Rdsonand low gate charge. Which accords with the RoHS standard.FeaturesVDS = 68V,ID =88ARDS(ON),6.3m(Typ) @ VGS =10VLow On-ResistanceLow gate chargeFast switchingLow reverse transfer capa

Otros transistores... SRT15N750LD , SRT15N750LM , SRT15N750LD56 , SRT20N090HTC , SRT20N090HS2 , 2SK3995 , SVT077R5NT , SVT077R5ND , IRF630 , WML38N60C2 , WMK38N60C2 , WMN38N60C2 , WMM38N60C2 , WMJ38N60C2 , AONR32340C , HCS80R380S , HY3007P .

History: WMO11N80M3 | WMK15N65C4 | IRFH5110 | SM6033NSF | RU6H2L | WMP11N80M3 | FDPF16N50

 

 
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