SVT077R5NS - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: SVT077R5NS
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 68 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 95 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 98 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 296 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0075 Ohm
Тип корпуса: TO263
Аналог (замена) для SVT077R5NS
SVT077R5NS Datasheet (PDF)
svt077r5nt svt077r5nd svt077r5ns.pdf

SVT077R5NT/D/S 95A68V N 2SVT077R5NT/D/S N MOS 1 LVMOS 3
svt078r0nt svt078r0ns svt078r0nstr.pdf

SVT078R0NT/S 88A68V N 2SVT078R0NT/S N MOS LVMOS 1
svt078r0nd.pdf

RUMWSVT078R0ND68V N-Channel Power MosfetUMW SVT078R0NDGeneral DescriptionThese N-channel enhancement mode power mosfets usedadvanced trench technology design, provided excellent Rdsonand low gate charge. Which accords with the RoHS standard.FeaturesVDS = 68V,ID =88ARDS(ON),6.3m(Typ) @ VGS =10VLow On-ResistanceLow gate chargeFast switchingLow reverse transfer capa
Другие MOSFET... SRT15N750LD , SRT15N750LM , SRT15N750LD56 , SRT20N090HTC , SRT20N090HS2 , 2SK3995 , SVT077R5NT , SVT077R5ND , 7N65 , WML38N60C2 , WMK38N60C2 , WMN38N60C2 , WMM38N60C2 , WMJ38N60C2 , AONR32340C , HCS80R380S , HY3007P .
History: SM1A15NSF | 2SJ412



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
irfb4110 | tip36c | bd139 transistor | irf840 datasheet | ge10001 | irf830 | irfp450 | mj21193