WMJ38N60C2 Todos los transistores

 

WMJ38N60C2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: WMJ38N60C2
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 277 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 38 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 71 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.099 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO247
 

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WMJ38N60C2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:585K  1
 wml38n60c2 wmk38n60c2 wmn38n60c2 wmm38n60c2 wmj38n60c2.pdf pdf_icon

WMJ38N60C2

WML38N MK38N60CN60C2, WM C2 WMN38N60C2, WMM38N MJ38N60CN60C2, WM C2 600V 0.089 S0 Super Junction Power MOSFETDescripptionWMOSTM C2 is Wa 2nd generation super ayons n junction MOSFET fa that is utilizing charge M amily S balance te or extremely esistance echnology fo y low on-reS D D G GG S D G and low ga charge performanc WMOSTM C2 is ate ce

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History: TP0610K | SSI3N80A | WVM13N50 | FTP50N20R | WMJ10N80D1 | MMFTN20 | SSG4224

 

 
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