WMJ38N60C2. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WMJ38N60C2

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 277 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 38 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 71 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.099 Ohm

Тип корпуса: TO247

Аналог (замена) для WMJ38N60C2

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WMJ38N60C2 даташит

 ..1. Size:585K  1
 wml38n60c2 wmk38n60c2 wmn38n60c2 wmm38n60c2 wmj38n60c2.pdf pdf_icon

WMJ38N60C2

WML38N MK38N60C N60C2, WM C2 WMN38N60C2, WMM38N MJ38N60C N60C2, WM C2 600V 0.089 S 0 Super Junction Power MOSFET Descrip ption WMOSTM C2 is Wa 2nd generation super ayon s n junction MOSFET fa that is utilizing charge M amily S balance te or extremely esistance echnology fo y low on-re S D D G G G S D G and low ga charge performanc WMOSTM C2 is ate ce

Другие IGBT... 2SK3995, SVT077R5NT, SVT077R5ND, SVT077R5NS, WML38N60C2, WMK38N60C2, WMN38N60C2, WMM38N60C2, 2N7002, AONR32340C, HCS80R380S, HY3007P, HY3007M, HY3007B, HY3007PS, HY3007PM, NCE80H11