WMJ38N60C2 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: WMJ38N60C2
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 277 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4.2 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 38 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 60 nC
Время нарастания (tr): 71 ns
Выходная емкость (Cd): 100 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.099 Ohm
Тип корпуса: TO247
Аналог (замена) для WMJ38N60C2
WMJ38N60C2 Datasheet (PDF)
wml38n60c2 wmk38n60c2 wmn38n60c2 wmm38n60c2 wmj38n60c2.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
WML38N MK38N60CN60C2, WM C2 WMN38N60C2, WMM38N MJ38N60CN60C2, WM C2 600V 0.089 S0 Super Junction Power MOSFETDescripptionWMOSTM C2 is Wa 2nd generation super ayons n junction MOSFET fa that is utilizing charge M amily S balance te or extremely esistance echnology fo y low on-reS D D G GG S D G and low ga charge performanc WMOSTM C2 is ate ce
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .