AONR32340C Todos los transistores

 

AONR32340C MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AONR32340C

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 11 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 3 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 70 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.021 Ohm

Encapsulados: DFN3X3EP

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AONR32340C datasheet

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AONR32340C

AONR32340C 30V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS 30V Trench Power MOSFET technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 12A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

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AONR32340C

AONR32314 30V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS Latest advanced trench technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 17A High Current capability RDS(ON) (at VGS=10V)

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AONR32340C

AONR32318 30V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS 30V Trench Power MOSFET technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 50A Optimized for load switch RDS(ON) (at VGS=10V)

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AONR32340C

AONR32320C 30V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS 30V Trench Power MOSFET technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 12A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

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History: WPMD2011 | FHU5N60A | AOD2904 | FX20VSJ-3 | AGM612MNA | AUIRF7343Q | NTD4904N

 

 

 

 

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