Справочник MOSFET. AONR32340C

 

AONR32340C Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AONR32340C
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 11 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.021 Ohm
   Тип корпуса: DFN3X3EP
 

 Аналог (замена) для AONR32340C

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AONR32340C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:533K  1
aonr32340c.pdfpdf_icon

AONR32340C

AONR32340C30V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS 30V Trench Power MOSFET technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 12A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 7.1. Size:348K  aosemi
aonr32314.pdfpdf_icon

AONR32340C

AONR3231430V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Latest advanced trench technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 17A High Current capability RDS(ON) (at VGS=10V)

 7.2. Size:354K  aosemi
aonr32318.pdfpdf_icon

AONR32340C

AONR3231830V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS30V Trench Power MOSFET technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 50A Optimized for load switch RDS(ON) (at VGS=10V)

 7.3. Size:369K  aosemi
aonr32320c.pdfpdf_icon

AONR32340C

AONR32320C30V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS 30V Trench Power MOSFET technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 12A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

Другие MOSFET... SVT077R5NT , SVT077R5ND , SVT077R5NS , WML38N60C2 , WMK38N60C2 , WMN38N60C2 , WMM38N60C2 , WMJ38N60C2 , IRF1010E , HCS80R380S , HY3007P , HY3007M , HY3007B , HY3007PS , HY3007PM , NCE80H11 , S80N10R .

History: SL10P04S | IRFS231 | SMD4N65 | MS10N65 | IPP12CN10NG | MTN9N50FP | 2SJ520

 

 
Back to Top

 


 
.