N6006NZ Todos los transistores

 

N6006NZ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: N6006NZ
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 35 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 480 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F
 

 Búsqueda de reemplazo de N6006NZ MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

N6006NZ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:255K  1
 n6006nz.pdf pdf_icon

N6006NZ

Data SheetN6006NZ R07DS1020EC0100Rev.1.00N-channel MOSFET Feb 18, 2013600V, 6A, 1.2 Description The N6006NZ is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Features Low on-state resistance RDS (on) = 1.2 MAX. (VGS = 10 V, ID = 3.0 A) Low input capacitance Ciss = 1385pF TYP. (VDS = 10V, VGS = 0 V) High current

Otros transistores... HY3007PS , HY3007PM , NCE80H11 , S80N10R , S80N10S , CMD5941 , CMU5941 , MMBF4860 , 5N65 , STP180N4F6 , TK10P50W , LCS50P03 , HCCW120R040H1 , HCCZ120R040H1 , VS2622AA , VS2622AD , VS2622AL .

History: SQ1912EH | SSM5N05FU | TK100E10N1

 

 
Back to Top

 


 
.