N6006NZ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: N6006NZ
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 35 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 480 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.2 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220F
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N6006NZ Datasheet (PDF)
n6006nz.pdf
Data SheetN6006NZ R07DS1020EC0100Rev.1.00N-channel MOSFET Feb 18, 2013600V, 6A, 1.2 Description The N6006NZ is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Features Low on-state resistance RDS (on) = 1.2 MAX. (VGS = 10 V, ID = 3.0 A) Low input capacitance Ciss = 1385pF TYP. (VDS = 10V, VGS = 0 V) High current
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Liste
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