N6006NZ MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: N6006NZ

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 35 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 480 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.2 Ohm

Encapsulados: TO220F

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N6006NZ datasheet

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N6006NZ

Data Sheet N6006NZ R07DS1020EC0100 Rev.1.00 N-channel MOSFET Feb 18, 2013 600V, 6A, 1.2 Description The N6006NZ is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Features Low on-state resistance RDS (on) = 1.2 MAX. (VGS = 10 V, ID = 3.0 A) Low input capacitance Ciss = 1385pF TYP. (VDS = 10V, VGS = 0 V) High current

Otros transistores... HY3007PS, HY3007PM, NCE80H11, S80N10R, S80N10S, CMD5941, CMU5941, MMBF4860, 5N65, STP180N4F6, TK10P50W, LCS50P03, HCCW120R040H1, HCCZ120R040H1, VS2622AA, VS2622AD, VS2622AL