N6006NZ - аналоги и даташиты транзистора

 

N6006NZ - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: N6006NZ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(off)|ⓘ - Минимальное напряжение отсечки: 2 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 29 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 480 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 
   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

N6006NZ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:255K  1
 n6006nz.pdf pdf_icon

N6006NZ

Data SheetN6006NZ R07DS1020EC0100Rev.1.00N-channel MOSFET Feb 18, 2013600V, 6A, 1.2 Description The N6006NZ is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Features Low on-state resistance RDS (on) = 1.2 MAX. (VGS = 10 V, ID = 3.0 A) Low input capacitance Ciss = 1385pF TYP. (VDS = 10V, VGS = 0 V) High current

Другие MOSFET... HY3007PS , HY3007PM , NCE80H11 , S80N10R , S80N10S , CMD5941 , CMU5941 , MMBF4860 , 4435 , STP180N4F6 , TK10P50W , LCS50P03 , HCCW120R040H1 , HCCZ120R040H1 , VS2622AA , VS2622AD , VS2622AL .

 

 
Back to Top

 


 
.