Справочник MOSFET. N6006NZ

 

N6006NZ Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: N6006NZ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 480 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

N6006NZ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:255K  1
 n6006nz.pdf pdf_icon

N6006NZ

Data SheetN6006NZ R07DS1020EC0100Rev.1.00N-channel MOSFET Feb 18, 2013600V, 6A, 1.2 Description The N6006NZ is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Features Low on-state resistance RDS (on) = 1.2 MAX. (VGS = 10 V, ID = 3.0 A) Low input capacitance Ciss = 1385pF TYP. (VDS = 10V, VGS = 0 V) High current

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: IRFP331 | IRC8405 | IPB70N10S3L-12 | 7N65KG-T2Q-T | 2SK56 | SQJ460AEP | IRF6217

 

 
Back to Top

 


 
.