N6006NZ datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: N6006NZ  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 480 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm

Тип корпуса: TO220F

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для N6006NZ

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

N6006NZ даташит

 ..1. Size:255K  1
 n6006nz.pdf pdf_icon

N6006NZ

Data Sheet N6006NZ R07DS1020EC0100 Rev.1.00 N-channel MOSFET Feb 18, 2013 600V, 6A, 1.2 Description The N6006NZ is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Features Low on-state resistance RDS (on) = 1.2 MAX. (VGS = 10 V, ID = 3.0 A) Low input capacitance Ciss = 1385pF TYP. (VDS = 10V, VGS = 0 V) High current

Другие IGBT... HY3007PS, HY3007PM, NCE80H11, S80N10R, S80N10S, CMD5941, CMU5941, MMBF4860, 20N50, STP180N4F6, TK10P50W, LCS50P03, HCCW120R040H1, HCCZ120R040H1, VS2622AA, VS2622AD, VS2622AL