TK10P50W Todos los transistores

 

TK10P50W MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TK10P50W
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 80 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9.7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 20 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.43 Ohm
   Paquete / Cubierta: DPAK
 

 Búsqueda de reemplazo de TK10P50W MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

TK10P50W Datasheet (PDF)

 ..1. Size:275K  1
 tk10p50w.pdf pdf_icon

TK10P50W

TK10P50WMOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS)TK10P50WTK10P50WTK10P50WTK10P50W1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.327 (typ.) by used to Super Junction Structure : DTMOS(2) Easy to control Gate switching(3) E

 9.1. Size:244K  toshiba
 tk10p60w.pdf pdf_icon

TK10P50W

TK10P60WMOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS)TK10P60WTK10P60WTK10P60WTK10P60W1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.327 (typ.) by used to Super Junction Structure : DTMOS(2) Easy to control Gate switching(3) E

 9.2. Size:208K  inchange semiconductor
 tk10p60w.pdf pdf_icon

TK10P50W

INCHANGE SemiconductorIsc N-Channel MOSFET Transistor TK10P60WFEATURESWith To-252(DPAK) packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UN

Otros transistores... NCE80H11 , S80N10R , S80N10S , CMD5941 , CMU5941 , MMBF4860 , N6006NZ , STP180N4F6 , AON7506 , LCS50P03 , HCCW120R040H1 , HCCZ120R040H1 , VS2622AA , VS2622AD , VS2622AL , VS3510DS , VS3602GPMT .

History: FIR120N055PG | PTA04N100 | ST2342 | SQM120N02-1M3L | IRFNG40 | RUH1H150S-AR | SM1A11NSF

 

 
Back to Top

 


 
.