TK10P50W Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: TK10P50W
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 80 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.7 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 22 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 20 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.43 Ohm
Тип корпуса: DPAK
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
TK10P50W Datasheet (PDF)
tk10p50w.pdf

TK10P50WMOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS)TK10P50WTK10P50WTK10P50WTK10P50W1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.327 (typ.) by used to Super Junction Structure : DTMOS(2) Easy to control Gate switching(3) E
tk10p60w.pdf

TK10P60WMOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS)TK10P60WTK10P60WTK10P60WTK10P60W1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.327 (typ.) by used to Super Junction Structure : DTMOS(2) Easy to control Gate switching(3) E
tk10p60w.pdf

INCHANGE SemiconductorIsc N-Channel MOSFET Transistor TK10P60WFEATURESWith To-252(DPAK) packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UN
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
History: MTB20N06KJ3 | AP2306CGN-HF | 2SK4017 | ZXMP3A17E6 | GSM4435W | IRFZ45 | 6N90
History: MTB20N06KJ3 | AP2306CGN-HF | 2SK4017 | ZXMP3A17E6 | GSM4435W | IRFZ45 | 6N90



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
2n3771 | s9018 | 2n3904 equivalent | ksa1220 | s9015 | mje3055t datasheet | a733 | irf9630