LCS50P03 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: LCS50P03
Código: WyG*
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 1.4 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 4.3 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3 V
Carga de la puerta (Qg): 17.4 nC
Tiempo de subida (tr): 43.2 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 91.7 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.05 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT23
Búsqueda de reemplazo de MOSFET LCS50P03
LCS50P03 Datasheet (PDF)
lcs50p03.pdf
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LCS50P03 P-Channel 30V Trench MOSFETGeneral Description The LCS50P03 is the P-Channel logic enhancement mode power field effect transistors. These devices are BVDSS=-30V , particularly suited for low voltage application such as RDS(ON) 50m@VGS=-10V cellular phone and notebook computer power management and other battery powered circuits where RDS(ON)
Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
History: WST2319