LCS50P03 Todos los transistores

 

LCS50P03 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: LCS50P03
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.4 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 43.2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 91.7 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23
     - Selección de transistores por parámetros

 

LCS50P03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:493K  liteon
 lcs50p03.pdf pdf_icon

LCS50P03

LCS50P03 P-Channel 30V Trench MOSFETGeneral Description The LCS50P03 is the P-Channel logic enhancement mode power field effect transistors. These devices are BVDSS=-30V , particularly suited for low voltage application such as RDS(ON) 50m@VGS=-10V cellular phone and notebook computer power management and other battery powered circuits where RDS(ON)

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History: SSF6670 | IXFN64N60P | SUN82A20CI | SMP40N10 | FQD12N20LTMF085 | IRF624A | DMC2041UFDB

 

 
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