LCS50P03 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: LCS50P03
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.4 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.3 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 43.2 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 91.7 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT23
Búsqueda de reemplazo de LCS50P03 MOSFET
LCS50P03 Datasheet (PDF)
lcs50p03.pdf
LCS50P03 P-Channel 30V Trench MOSFETGeneral Description The LCS50P03 is the P-Channel logic enhancement mode power field effect transistors. These devices are BVDSS=-30V , particularly suited for low voltage application such as RDS(ON) 50m@VGS=-10V cellular phone and notebook computer power management and other battery powered circuits where RDS(ON)
Otros transistores... S80N10R , S80N10S , CMD5941 , CMU5941 , MMBF4860 , N6006NZ , STP180N4F6 , TK10P50W , AON6380 , HCCW120R040H1 , HCCZ120R040H1 , VS2622AA , VS2622AD , VS2622AL , VS3510DS , VS3602GPMT , VS3603GPMT .
History: JCS730F | 2SK360 | STP180N4F6 | SFF440-28 | SQ1922EEH
History: JCS730F | 2SK360 | STP180N4F6 | SFF440-28 | SQ1922EEH
Liste
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