LCS50P03 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: LCS50P03

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.4 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 43.2 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 91.7 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm

Encapsulados: SOT23

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LCS50P03 datasheet

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LCS50P03

LCS50P03 P-Channel 30V Trench MOSFET General Description The LCS50P03 is the P-Channel logic enhancement mode power field effect transistors. These devices are BVDSS=-30V , particularly suited for low voltage application such as RDS(ON) 50m @VGS=-10V cellular phone and notebook computer power management and other battery powered circuits where RDS(ON)

Otros transistores... S80N10R, S80N10S, CMD5941, CMU5941, MMBF4860, N6006NZ, STP180N4F6, TK10P50W, AON6380, HCCW120R040H1, HCCZ120R040H1, VS2622AA, VS2622AD, VS2622AL, VS3510DS, VS3602GPMT, VS3603GPMT