LCS50P03. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: LCS50P03

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.4 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 43.2 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 91.7 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm

Тип корпуса: SOT23

Аналог (замена) для LCS50P03

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

LCS50P03 даташит

 ..1. Size:493K  liteon
 lcs50p03.pdf pdf_icon

LCS50P03

LCS50P03 P-Channel 30V Trench MOSFET General Description The LCS50P03 is the P-Channel logic enhancement mode power field effect transistors. These devices are BVDSS=-30V , particularly suited for low voltage application such as RDS(ON) 50m @VGS=-10V cellular phone and notebook computer power management and other battery powered circuits where RDS(ON)

Другие IGBT... S80N10R, S80N10S, CMD5941, CMU5941, MMBF4860, N6006NZ, STP180N4F6, TK10P50W, AON6380, HCCW120R040H1, HCCZ120R040H1, VS2622AA, VS2622AD, VS2622AL, VS3510DS, VS3602GPMT, VS3603GPMT