Справочник MOSFET. LCS50P03

 

LCS50P03 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: LCS50P03
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 43.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 91.7 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для LCS50P03

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

LCS50P03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:493K  liteon
 lcs50p03.pdf pdf_icon

LCS50P03

LCS50P03 P-Channel 30V Trench MOSFETGeneral Description The LCS50P03 is the P-Channel logic enhancement mode power field effect transistors. These devices are BVDSS=-30V , particularly suited for low voltage application such as RDS(ON) 50m@VGS=-10V cellular phone and notebook computer power management and other battery powered circuits where RDS(ON)

Другие MOSFET... S80N10R , S80N10S , CMD5941 , CMU5941 , MMBF4860 , N6006NZ , STP180N4F6 , TK10P50W , IRLZ44N , HCCW120R040H1 , HCCZ120R040H1 , VS2622AA , VS2622AD , VS2622AL , VS3510DS , VS3602GPMT , VS3603GPMT .

History: AP9972GH-HF | AM1440N | MTP2311N3 | QM3001D

 

 
Back to Top

 


 
.