LCS50P03 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: LCS50P03
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.4 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.3 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 43.2 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 91.7 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm
Тип корпуса: SOT23
Аналог (замена) для LCS50P03
LCS50P03 Datasheet (PDF)
lcs50p03.pdf

LCS50P03 P-Channel 30V Trench MOSFETGeneral Description The LCS50P03 is the P-Channel logic enhancement mode power field effect transistors. These devices are BVDSS=-30V , particularly suited for low voltage application such as RDS(ON) 50m@VGS=-10V cellular phone and notebook computer power management and other battery powered circuits where RDS(ON)
Другие MOSFET... S80N10R , S80N10S , CMD5941 , CMU5941 , MMBF4860 , N6006NZ , STP180N4F6 , TK10P50W , AON7506 , HCCW120R040H1 , HCCZ120R040H1 , VS2622AA , VS2622AD , VS2622AL , VS3510DS , VS3602GPMT , VS3603GPMT .
History: NCEP0260
History: NCEP0260



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: APJ14N65T | APJ14N65P | APJ14N65F | APJ14N65D | APN9N50D | AP65R190 | APJ50N65T | APJ50N65P | APJ50N65F | APJ30N65T | APJ30N65P | APJ30N65F | AP65R650 | APG60N10S | APG120N04NF | AP8G06S
Popular searches
s9018 | 2n3904 equivalent | ksa1220 | s9015 | mje3055t datasheet | a733 | irf9630 | mj2955