Справочник MOSFET. LCS50P03

 

LCS50P03 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: LCS50P03
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.3 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 43.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 91.7 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

LCS50P03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:493K  liteon
 lcs50p03.pdf pdf_icon

LCS50P03

LCS50P03 P-Channel 30V Trench MOSFETGeneral Description The LCS50P03 is the P-Channel logic enhancement mode power field effect transistors. These devices are BVDSS=-30V , particularly suited for low voltage application such as RDS(ON) 50m@VGS=-10V cellular phone and notebook computer power management and other battery powered circuits where RDS(ON)

Другие MOSFET... AM3401 , AM3402N , AM3403P , AM3405P , AM3406 , AM3406N , AM3407 , AM3407PE , IRFZ48N , AM3412N , AM3413 , AM3413P , AM3415 , AM3415A , AM3416 , AM3422 , AM3423P .

History: DMN3052LSS | FHF630A | SRT08N025HT

 

 
Back to Top

 


 
.