HCCW120R040H1 Todos los transistores

 

HCCW120R040H1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HCCW120R040H1
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 259 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 1200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 55 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 150 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.053 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO247
 

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HCCW120R040H1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1318K  cn vgsemi
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HCCW120R040H1

HCCW120R040H11200V/55A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 1200 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=20 V 42 m SiC MOSFET technologyI D(Silicon limited) 55 A High blocking voltage with low on-resistance High-speed switching with low capacitancesTO-247 Very low switching losses Low reverse recovery (Qrr) 100% Avalanche tested,100% Rg testedPart ID Package Typ

 5.1. Size:1201K  cn vgsemi
 hccw120r080h1.pdf pdf_icon

HCCW120R040H1

HCCW120R080H11200V/80m N-Channel SIC Power MOSFETFeaturesV 1200 VDS High speed switching with low on-resistanceR 80 mDS(on),TYP@25 Very low switching lossesI 36 AD Controllable dv/dt Avalanche Ruggedness and 100% Avalanche test TO-247 Robust body diode123DPart ID Package Type Marking PackingHCCW120R080H1 TO-247 120R080H1 30pcs/PipeG

Otros transistores... S80N10S , CMD5941 , CMU5941 , MMBF4860 , N6006NZ , STP180N4F6 , TK10P50W , LCS50P03 , AO4407 , HCCZ120R040H1 , VS2622AA , VS2622AD , VS2622AL , VS3510DS , VS3602GPMT , VS3603GPMT , VS3604AT .

History: APT5010JVRU3 | B640 | 5N65G

 

 
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