HCCW120R040H1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HCCW120R040H1
Código: 120R040H1
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 259 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 1200 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 55 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4.5 V
Carga de la puerta (Qg): 105 nC
Tiempo de subida (tr): 35 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 150 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.053 Ohm
Paquete / Cubierta: TO247
Búsqueda de reemplazo de MOSFET HCCW120R040H1
HCCW120R040H1 Datasheet (PDF)
hccw120r040h1.pdf
HCCW120R040H11200V/55A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 1200 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=20 V 42 m SiC MOSFET technologyI D(Silicon limited) 55 A High blocking voltage with low on-resistance High-speed switching with low capacitancesTO-247 Very low switching losses Low reverse recovery (Qrr) 100% Avalanche tested,100% Rg testedPart ID Package Typ
hccw120r080h1.pdf
HCCW120R080H11200V/80m N-Channel SIC Power MOSFETFeaturesV 1200 VDS High speed switching with low on-resistanceR 80 mDS(on),TYP@25 Very low switching lossesI 36 AD Controllable dv/dt Avalanche Ruggedness and 100% Avalanche test TO-247 Robust body diode123DPart ID Package Type Marking PackingHCCW120R080H1 TO-247 120R080H1 30pcs/PipeG
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