Справочник MOSFET. HCCW120R040H1

 

HCCW120R040H1 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HCCW120R040H1
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 259 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 55 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 35 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.053 Ohm
   Тип корпуса: TO247
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

HCCW120R040H1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1318K  cn vgsemi
 hccw120r040h1.pdf pdf_icon

HCCW120R040H1

HCCW120R040H11200V/55A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 1200 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=20 V 42 m SiC MOSFET technologyI D(Silicon limited) 55 A High blocking voltage with low on-resistance High-speed switching with low capacitancesTO-247 Very low switching losses Low reverse recovery (Qrr) 100% Avalanche tested,100% Rg testedPart ID Package Typ

 5.1. Size:1201K  cn vgsemi
 hccw120r080h1.pdf pdf_icon

HCCW120R040H1

HCCW120R080H11200V/80m N-Channel SIC Power MOSFETFeaturesV 1200 VDS High speed switching with low on-resistanceR 80 mDS(on),TYP@25 Very low switching lossesI 36 AD Controllable dv/dt Avalanche Ruggedness and 100% Avalanche test TO-247 Robust body diode123DPart ID Package Type Marking PackingHCCW120R080H1 TO-247 120R080H1 30pcs/PipeG

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: TT8J2 | 2SK3430-ZJ | FDMS8662 | R6535KNZ1 | P1825HDB | 2SK1889 | VSE002N03MS-G

 

 
Back to Top

 


 
.