VS2622AL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: VS2622AL
   Código: VS15
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 18 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 4600 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 195 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.015 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23-3L

Búsqueda de reemplazo de MOSFET VS2622AL

VS2622AL Datasheet (PDF)

..1. Size:1024K cn vgsemi
vs2622al.pdf

VS2622AL20V/8A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 20 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 11 m N-Channel2.5V Logic Level ControlR DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 12 m Enhancement modeR DS(on),TYP@ VGS=2.5 V 14 m Low on-resistance RDS(on) @ VGS=2.5 VI D 8 A Fast Switching and High efficiencySOT23-3L Pb-free lead plating; RoHS compliantPart ID Package Type

7.1. Size:693K cn vanguard
vs2622ae.pdf

VS2622AE 20V/56A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 20 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10V 4.8 m N-Channel2.5V logic level control R DS(on),TYP@ VGS=4.5V 5.6 m Enhancement mode I D 56 A Low on-resistance RDS(on) @ VGS=2.5 V PDFN3333 Fast Switching and High efficiency Pb-free lead plating; RoHS compliant Tape and reel Part ID Package Type Ma

7.2. Size:964K cn vgsemi
vs2622aa.pdf

VS2622AA20V/13A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 20 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 8.2 m N-Channel2.5V Logic Level ControlR DS(on),TYP@ VGS=2.5 V 10 m Enhancement modeI D 13 A Low on-resistance RDS(on) @ VGS=2.5 V Fast SwitchingDFN2x2x0.75-6L Pb-free lead plating; RoHS compliantPart ID Package Type Marking PackingVS2622AA DFN2x2x0.75-6L 2

7.3. Size:1032K cn vgsemi
vs2622ae.pdf

VS2622AE20V/56A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 20 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10V 4.8 m N-Channel2.5V logic level controlR DS(on),TYP@ VGS=4.5V 5.6 m Enhancement modeI D 56 A Low on-resistance RDS(on) @ VGS=2.5 VPDFN3333 Fast Switching and High efficiency Pb-free lead plating; RoHS compliantPart ID Package Type Marking PackingVS2622AE PDFN

7.4. Size:978K cn vgsemi
vs2622ad.pdf

VS2622AD20V/60A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 20 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 6.5 m Enhancement modeR DS(on),TYP@ VGS=2.5 V 8.5 m Low on-resistance RDS(on) @ VGS=2.5 VI D 60 A Fast Switching and High efficiencyTO-252 100% Avalanche test Pb-free lead plating; RoHS compliantPart ID Package Type Marking PackingVS2622AD TO-252 2622AD 2500pc

Otros transistores... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: