VS2622AL. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: VS2622AL

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4600 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 195 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm

Тип корпуса: SOT23-3L

Аналог (замена) для VS2622AL

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VS2622AL даташит

 ..1. Size:1024K  cn vgsemi
 vs2622al.pdf pdf_icon

VS2622AL

VS2622AL 20V/8A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 20 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10 V 11 m N-Channel 2.5V Logic Level Control R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 12 m Enhancement mode R DS(on),TYP@ VGS=2.5 V 14 m Low on-resistance RDS(on) @ VGS=2.5 V I D 8 A Fast Switching and High efficiency SOT23-3L Pb-free lead plating; RoHS compliant Part ID Package Type

 7.1. Size:693K  cn vanguard
 vs2622ae.pdf pdf_icon

VS2622AL

VS2622AE 20V/56A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 20 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10V 4.8 m N-Channel 2.5V logic level control R DS(on),TYP@ VGS=4.5V 5.6 m Enhancement mode I D 56 A Low on-resistance RDS(on) @ VGS=2.5 V PDFN3333 Fast Switching and High efficiency Pb-free lead plating; RoHS compliant Tape and reel Part ID Package Type Ma

 7.2. Size:964K  cn vgsemi
 vs2622aa.pdf pdf_icon

VS2622AL

VS2622AA 20V/13A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 20 V Features R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 8.2 m N-Channel 2.5V Logic Level Control R DS(on),TYP@ VGS=2.5 V 10 m Enhancement mode I D 13 A Low on-resistance RDS(on) @ VGS=2.5 V Fast Switching DFN2x2x0.75-6L Pb-free lead plating; RoHS compliant Part ID Package Type Marking Packing VS2622AA DFN2x2x0.75-6L 2

 7.3. Size:1032K  cn vgsemi
 vs2622ae.pdf pdf_icon

VS2622AL

VS2622AE 20V/56A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 20 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10V 4.8 m N-Channel 2.5V logic level control R DS(on),TYP@ VGS=4.5V 5.6 m Enhancement mode I D 56 A Low on-resistance RDS(on) @ VGS=2.5 V PDFN3333 Fast Switching and High efficiency Pb-free lead plating; RoHS compliant Part ID Package Type Marking Packing VS2622AE PDFN

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... N6006NZ, STP180N4F6, TK10P50W, LCS50P03, HCCW120R040H1, HCCZ120R040H1, VS2622AA, VS2622AD, STP80NF70, VS3510DS, VS3602GPMT, VS3603GPMT, VS3604AT, VS3604DM, VS3604DT, VS3605ABT, VS3606AD