VS3510DS MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: VS3510DS
   Código: 3510DS
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 2 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 10 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.4 V
   Carga de la puerta (Qg): 35 nC
   Tiempo de subida (tr): 6 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 300 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.018 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET VS3510DS

VS3510DS Datasheet (PDF)

..1. Size:1080K cn vgsemi
vs3510ds.pdf

VS3510DS-30V/-10A Dual P-Channel Advanced Power MOSFETFeaturesV DS -30 VR DS(on),TYP@ VGS=-10 V 13 m Dual P-Channel, -5V Logic Level ControlR DS(on),TYP@ VGS=-4.5 V 19 m Enhancement modeI D -10 A Low on-resistance RDS(on) @ VGS=-4.5 V Fast Switching and High efficiencySOP8 100% Avalanche Tested Pb-free lead plating; RoHS compliantPart ID Packa

9.1. Size:662K cn vanguard
vs3518ae.pdf

VS3518AE -30V/-35A P-Channel Advanced Power MOSFET V DS -30 V Features R DS(on),TYP@ VGS=-10 V 15 m P-Channel-5V Logic Level Control R DS(on),TYP@ VGS=-4.5V 23 m Low on-resistance RDS(on) @ VGS=-4.5 V I D -35 A Fast Switching and High efficiency PDFN3333 Enhancement mode Pb-free lead plating; RoHS compliant Part ID Package Type Marking Ta

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Liste

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