VS3510DS MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: VS3510DS

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 300 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.018 Ohm

Encapsulados: SOP8

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VS3510DS datasheet

 ..1. Size:1080K  cn vgsemi
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VS3510DS

VS3510DS -30V/-10A Dual P-Channel Advanced Power MOSFET Features V DS -30 V R DS(on),TYP@ VGS=-10 V 13 m Dual P-Channel, -5V Logic Level Control R DS(on),TYP@ VGS=-4.5 V 19 m Enhancement mode I D -10 A Low on-resistance RDS(on) @ VGS=-4.5 V Fast Switching and High efficiency SOP8 100% Avalanche Tested Pb-free lead plating; RoHS compliant Part ID Packa

 9.1. Size:662K  cn vanguard
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VS3510DS

VS3518AE -30V/-35A P-Channel Advanced Power MOSFET V DS -30 V Features R DS(on),TYP@ VGS=-10 V 15 m P-Channel -5V Logic Level Control R DS(on),TYP@ VGS=-4.5V 23 m Low on-resistance RDS(on) @ VGS=-4.5 V I D -35 A Fast Switching and High efficiency PDFN3333 Enhancement mode Pb-free lead plating; RoHS compliant Part ID Package Type Marking Ta

Otros transistores... STP180N4F6, TK10P50W, LCS50P03, HCCW120R040H1, HCCZ120R040H1, VS2622AA, VS2622AD, VS2622AL, IRFP450, VS3602GPMT, VS3603GPMT, VS3604AT, VS3604DM, VS3604DT, VS3605ABT, VS3606AD, VS3606AE