VS3510DS Todos los transistores

 

VS3510DS MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: VS3510DS
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 300 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.018 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8
     - Selección de transistores por parámetros

 

VS3510DS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1080K  cn vgsemi
 vs3510ds.pdf pdf_icon

VS3510DS

VS3510DS-30V/-10A Dual P-Channel Advanced Power MOSFETFeaturesV DS -30 VR DS(on),TYP@ VGS=-10 V 13 m Dual P-Channel, -5V Logic Level ControlR DS(on),TYP@ VGS=-4.5 V 19 m Enhancement modeI D -10 A Low on-resistance RDS(on) @ VGS=-4.5 V Fast Switching and High efficiencySOP8 100% Avalanche Tested Pb-free lead plating; RoHS compliantPart ID Packa

 9.1. Size:662K  cn vanguard
 vs3518ae.pdf pdf_icon

VS3510DS

VS3518AE -30V/-35A P-Channel Advanced Power MOSFET V DS -30 V Features R DS(on),TYP@ VGS=-10 V 15 m P-Channel-5V Logic Level Control R DS(on),TYP@ VGS=-4.5V 23 m Low on-resistance RDS(on) @ VGS=-4.5 V I D -35 A Fast Switching and High efficiency PDFN3333 Enhancement mode Pb-free lead plating; RoHS compliant Part ID Package Type Marking Ta

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History: IRF6616 | IXFN64N60P | WNM3017 | SMP40N10 | BSC094N03SG | IRF624A | DMC2041UFDB

 

 
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