Справочник MOSFET. VS3510DS

 

VS3510DS Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: VS3510DS
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 300 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm
   Тип корпуса: SOP8
 

 Аналог (замена) для VS3510DS

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VS3510DS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1080K  cn vgsemi
 vs3510ds.pdf pdf_icon

VS3510DS

VS3510DS-30V/-10A Dual P-Channel Advanced Power MOSFETFeaturesV DS -30 VR DS(on),TYP@ VGS=-10 V 13 m Dual P-Channel, -5V Logic Level ControlR DS(on),TYP@ VGS=-4.5 V 19 m Enhancement modeI D -10 A Low on-resistance RDS(on) @ VGS=-4.5 V Fast Switching and High efficiencySOP8 100% Avalanche Tested Pb-free lead plating; RoHS compliantPart ID Packa

 9.1. Size:662K  cn vanguard
 vs3518ae.pdf pdf_icon

VS3510DS

VS3518AE -30V/-35A P-Channel Advanced Power MOSFET V DS -30 V Features R DS(on),TYP@ VGS=-10 V 15 m P-Channel-5V Logic Level Control R DS(on),TYP@ VGS=-4.5V 23 m Low on-resistance RDS(on) @ VGS=-4.5 V I D -35 A Fast Switching and High efficiency PDFN3333 Enhancement mode Pb-free lead plating; RoHS compliant Part ID Package Type Marking Ta

Другие MOSFET... STP180N4F6 , TK10P50W , LCS50P03 , HCCW120R040H1 , HCCZ120R040H1 , VS2622AA , VS2622AD , VS2622AL , IRF1407 , VS3602GPMT , VS3603GPMT , VS3604AT , VS3604DM , VS3604DT , VS3605ABT , VS3606AD , VS3606AE .

History: CS7N65A3TDY | AM1440N | QM3001D | MTP2311N3 | HM8N20I

 

 
Back to Top

 


 
.