VS3510DS. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: VS3510DS

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 300 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm

Тип корпуса: SOP8

Аналог (замена) для VS3510DS

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VS3510DS даташит

 ..1. Size:1080K  cn vgsemi
 vs3510ds.pdf pdf_icon

VS3510DS

VS3510DS -30V/-10A Dual P-Channel Advanced Power MOSFET Features V DS -30 V R DS(on),TYP@ VGS=-10 V 13 m Dual P-Channel, -5V Logic Level Control R DS(on),TYP@ VGS=-4.5 V 19 m Enhancement mode I D -10 A Low on-resistance RDS(on) @ VGS=-4.5 V Fast Switching and High efficiency SOP8 100% Avalanche Tested Pb-free lead plating; RoHS compliant Part ID Packa

 9.1. Size:662K  cn vanguard
 vs3518ae.pdf pdf_icon

VS3510DS

VS3518AE -30V/-35A P-Channel Advanced Power MOSFET V DS -30 V Features R DS(on),TYP@ VGS=-10 V 15 m P-Channel -5V Logic Level Control R DS(on),TYP@ VGS=-4.5V 23 m Low on-resistance RDS(on) @ VGS=-4.5 V I D -35 A Fast Switching and High efficiency PDFN3333 Enhancement mode Pb-free lead plating; RoHS compliant Part ID Package Type Marking Ta

Другие IGBT... STP180N4F6, TK10P50W, LCS50P03, HCCW120R040H1, HCCZ120R040H1, VS2622AA, VS2622AD, VS2622AL, IRFP450, VS3602GPMT, VS3603GPMT, VS3604AT, VS3604DM, VS3604DT, VS3605ABT, VS3606AD, VS3606AE