VS3610GPMT Todos los transistores

 

VS3610GPMT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: VS3610GPMT
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 31 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 78 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 59 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 820 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0033 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN5X6
     - Selección de transistores por parámetros

 

VS3610GPMT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:827K  cn vgsemi
 vs3610gpmt.pdf pdf_icon

VS3610GPMT

VS3610GPMT30V/78A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 30 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10V 2.5 m Enhancement modeR DS(on),TYP@ VGS=4.5V 3.7 m Low RDS(on) to minimize conduction lossesI D 78 A VitoMOS Technology 100% Avalanche Tested,100% Rg Tested PDFN5x6 Optimized Qg, Qgd, and Qgd/Qgs ratio to minimize switching lossesPart ID Package Type Ma

 8.1. Size:1009K  cn vanguard
 vs3610ae.pdf pdf_icon

VS3610GPMT

VS3610AE 30V/64A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 30 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10 V 4 m N-Channel5V Logic Level Control R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 5.7 m Enhancement mode I D 64 A Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V Fast Switching PDFN3333 100% Avalanche test Pb-free lead plating; RoHS compliant Tape and reel Part ID Pack

 8.2. Size:983K  cn vgsemi
 vs3610ae.pdf pdf_icon

VS3610GPMT

VS3610AE30V/64A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 30 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 4 m N-Channel5V Logic Level ControlR DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 5.7 m Enhancement modeI D 64 A Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V Fast SwitchingPDFN3333 100% Avalanche test Pb-free lead plating; RoHS compliantPart ID Package Type Marking PackingVS361

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 vs3610ad.pdf pdf_icon

VS3610GPMT

VS3610AD30V/85A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 30 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 4.3 m N-Channel5V Logic Level ControlR DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 6 m Enhancement modeI D 85 A Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V Fast SwitchingTO-252 100% Avalanche test Pb-free lead plating; RoHS compliantPart ID Package Type Marking PackingVS3610A

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History: IRF646 | SSF11NS70UF | SI6954ADQ | SI4368DY | BUK7K52-60E | IRC720 | SWK15N04V

 

 
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