VS3610GPMT. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: VS3610GPMT

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 78 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 59 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 820 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0033 Ohm

Тип корпуса: PDFN5X6

Аналог (замена) для VS3610GPMT

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VS3610GPMT даташит

 ..1. Size:827K  cn vgsemi
 vs3610gpmt.pdf pdf_icon

VS3610GPMT

VS3610GPMT 30V/78A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 30 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10V 2.5 m Enhancement mode R DS(on),TYP@ VGS=4.5V 3.7 m Low RDS(on) to minimize conduction losses I D 78 A VitoMOS Technology 100% Avalanche Tested,100% Rg Tested PDFN5x6 Optimized Qg, Qgd, and Qgd/Qgs ratio to minimize switching losses Part ID Package Type Ma

 8.1. Size:1009K  cn vanguard
 vs3610ae.pdf pdf_icon

VS3610GPMT

VS3610AE 30V/64A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 30 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10 V 4 m N-Channel 5V Logic Level Control R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 5.7 m Enhancement mode I D 64 A Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V Fast Switching PDFN3333 100% Avalanche test Pb-free lead plating; RoHS compliant Tape and reel Part ID Pack

 8.2. Size:983K  cn vgsemi
 vs3610ae.pdf pdf_icon

VS3610GPMT

VS3610AE 30V/64A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 30 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10 V 4 m N-Channel 5V Logic Level Control R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 5.7 m Enhancement mode I D 64 A Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V Fast Switching PDFN3333 100% Avalanche test Pb-free lead plating; RoHS compliant Part ID Package Type Marking Packing VS361

 8.3. Size:945K  cn vgsemi
 vs3610ad.pdf pdf_icon

VS3610GPMT

VS3610AD 30V/85A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 30 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10 V 4.3 m N-Channel 5V Logic Level Control R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 6 m Enhancement mode I D 85 A Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V Fast Switching TO-252 100% Avalanche test Pb-free lead plating; RoHS compliant Part ID Package Type Marking Packing VS3610A

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... VS3606AD, VS3606AE, VS3606AP, VS3606AT, VS3606ATD, VS3610AD, VS3610AI, VS3610AP, IRF520, VS3612GP, VS3614AD, VS3614AE, VS3614GE, VS3614GP, VS3615GA, VS3615GE, VS3618AD