VS3625GEMC MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: VS3625GEMC
   Código: 3625GE
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 12 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 60 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 400 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0087 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN3333

Búsqueda de reemplazo de MOSFET VS3625GEMC

VS3625GEMC Datasheet (PDF)

..1. Size:842K cn vgsemi
vs3625gemc.pdf

VS3625GEMC30V/30A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 30 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 6.7 m Enhancement modeR DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 11 m VitoMOS TechnologyI D(Silicon Limited) 60 A Fast Switching and High efficiencyI D(Package Limited) 30 A 100% Avalanche Tested,100% Rg TestedPDFN3333Part ID Package Type Marking PackingVS3625GEMC PDFN3333 3

7.1. Size:971K cn vgsemi
vs3625gpmc.pdf

VS3625GPMC30V/30A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 30 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10V 7.6 m Enhancement modeR DS(on),TYP@ VGS=4.5V 12 m VitoMOS TechnologyI D(Silicon Limited) 42 A Fast Switching and High efficiencyI D(Package Limited) 30 A 100% Avalanche TestedPDFN5x6Part ID Package Type Marking PackingVS3625GPMC PDFN5x6 3625GP 3000pcs/Reel

8.1. Size:1216K cn vgsemi
vs3625dp2-g.pdf

VS3625DP2-G30V Dual Asymmetric N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 30 30 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 4.6 1.6 m Dual Asymmetric N-ChannelR DS(on),TYP@ VGS=4.5V 7.4 2.4 m Very low on-resistanceI D(Silicon Limited) 50 100 A VitoMOS TechnologyI D(Package Limited) 45 60 A 100% Avalanche Tested,100% Rg TestedPDFN5x6 Dual Opt2Part ID Package Type M

8.2. Size:1043K cn vgsemi
vs3625db.pdf

VS3625DB30V Dual Asymmetric N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 30 30 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 6.6 4.5 m Dual Asymmetric N-ChannelR DS(on),TYP@ VGS=4.5V 10 7 m VitoMOS TechnologyI D(Wire bond Limited) 24 36 A 100% Avalanche Tested,100% Rg TestedDFN3x3Part ID Package Type Marking PackingVS3625DB DFN3x3 3625DB 5000pcs/ReelMaximum ratings, at T

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

Liste

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