Справочник MOSFET. VS3625GEMC

 

VS3625GEMC Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: VS3625GEMC
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 60 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 400 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0087 Ohm
   Тип корпуса: PDFN3333
 

 Аналог (замена) для VS3625GEMC

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VS3625GEMC Datasheet (PDF)

 ..1. Size:842K  cn vgsemi
vs3625gemc.pdfpdf_icon

VS3625GEMC

VS3625GEMC30V/30A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 30 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 6.7 m Enhancement modeR DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 11 m VitoMOS TechnologyI D(Silicon Limited) 60 A Fast Switching and High efficiencyI D(Package Limited) 30 A 100% Avalanche Tested,100% Rg TestedPDFN3333Part ID Package Type Marking PackingVS3625GEMC PDFN3333 3

 7.1. Size:971K  cn vgsemi
vs3625gpmc.pdfpdf_icon

VS3625GEMC

VS3625GPMC30V/30A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 30 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10V 7.6 m Enhancement modeR DS(on),TYP@ VGS=4.5V 12 m VitoMOS TechnologyI D(Silicon Limited) 42 A Fast Switching and High efficiencyI D(Package Limited) 30 A 100% Avalanche TestedPDFN5x6Part ID Package Type Marking PackingVS3625GPMC PDFN5x6 3625GP 3000pcs/Reel

 8.1. Size:1216K  cn vgsemi
vs3625dp2-g.pdfpdf_icon

VS3625GEMC

VS3625DP2-G30V Dual Asymmetric N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 30 30 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 4.6 1.6 m Dual Asymmetric N-ChannelR DS(on),TYP@ VGS=4.5V 7.4 2.4 m Very low on-resistanceI D(Silicon Limited) 50 100 A VitoMOS TechnologyI D(Package Limited) 45 60 A 100% Avalanche Tested,100% Rg TestedPDFN5x6 Dual Opt2Part ID Package Type M

 8.2. Size:1043K  cn vgsemi
vs3625db.pdfpdf_icon

VS3625GEMC

VS3625DB30V Dual Asymmetric N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 30 30 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 6.6 4.5 m Dual Asymmetric N-ChannelR DS(on),TYP@ VGS=4.5V 10 7 m VitoMOS TechnologyI D(Wire bond Limited) 24 36 A 100% Avalanche Tested,100% Rg TestedDFN3x3Part ID Package Type Marking PackingVS3625DB DFN3x3 3625DB 5000pcs/ReelMaximum ratings, at T

Другие MOSFET... VS3622AA2 , VS3622AA4 , VS3622AD , VS3622AP , VS3622AS , VS3622DB , VS3625DB , VS3625DP2-G , HY1906P , VS3625GPMC , VS3628DB , VS3628GA , VS3628GE , VS3628GP , VS3633GA , VS3633GE , VS3638GA .

History: NVTR01P02L | LSGC085R041W3 | APT5016SFLLG | LND150N3 | APT45M100J | LO4459PT1G | IRFP3077PBF

 

 
Back to Top

 


 
.