VS3633GE MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: VS3633GE
   Código: 3633GE
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 19 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 32 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 7.6 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 34 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 300 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.012 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN3333

Búsqueda de reemplazo de MOSFET VS3633GE

VS3633GE Datasheet (PDF)

..1. Size:836K cn vgsemi
vs3633ge.pdf

VS3633GE30V/24A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 30 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 9.5 m Enhancement modeR DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 15 m VitoMOS TechnologyI D(Silicon Limited) 32 A Fast Switching and High efficiencyI D(Package Limited) 24 A 100% Avalanche Tested,100% Rg TestedPDFN3333Part ID Package Type Marking PackingVS3633GE PDFN3333 3633G

7.1. Size:992K cn vgsemi
vs3633ga.pdf

VS3633GA30V/12A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 30 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 11 mR DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 16 m Enhancement mode VitoMOS Technology I D 12 A Optimized Qg, Qgd, and Qgd/Qgs ratio to minimize switching lossesDFN2x2x0.75-6LPart ID Package Type Marking PackingVS3633GA DFN2x2x0.75-6L 3633 3000PCS/ReelMaximum ratings, at TA =25C,

9.1. Size:1065K cn vgsemi
vs3638de-g.pdf

VS3638DE-G30V/15A Dual N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 30 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10V 12 m Dual N-ChannelR DS(on),TYP@ VGS=4.5V 20 m Enhancement modeI D(Silicon Limited) 27 A VitoMOS TechnologyI D(Package Limited) 15 A Fast Switching and High efficiencyPDFN3333 Dual 100% Avalanche Tested,100% Rg TestedPart ID Package Type Marking Pac

9.2. Size:1664K cn vgsemi
vs3638ge.pdf

VS3638GE30V/23A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 30 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 11 m Enhancement modeR DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 20 m VitoMOS TechnologyI D(Silicon Limited) 40 A Fast Switching and High efficiencyI D(Package Limited) 23 A 100% Avalanche Tested,100% Rg TestedPDFN3333Part ID Package Type Marking PackingVS3638GE PDFN3333 3638GE

9.3. Size:1074K cn vgsemi
vs3638ga.pdf

VS3638GA30V/12A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 30 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 10 mR DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 18 m Enhancement mode VitoMOS Technology I D 12 A Low Gate ChargeDFN2x2x0.75-6LPart ID Package Type Marking PackingVS3638GA DFN2x2x0.75-6L 3638 3000PCS/ReelMaximum ratings, at TA =25C, unless otherwise specifiedSymbol Parameter Ratin

Otros transistores... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

Liste

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