VS3633GE. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: VS3633GE

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 19 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 32 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 34 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 300 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm

Тип корпуса: PDFN3333

Аналог (замена) для VS3633GE

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VS3633GE даташит

 ..1. Size:836K  cn vgsemi
 vs3633ge.pdf pdf_icon

VS3633GE

VS3633GE 30V/24A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 30 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10 V 9.5 m Enhancement mode R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 15 m VitoMOS Technology I D(Silicon Limited) 32 A Fast Switching and High efficiency I D(Package Limited) 24 A 100% Avalanche Tested,100% Rg Tested PDFN3333 Part ID Package Type Marking Packing VS3633GE PDFN3333 3633G

 7.1. Size:992K  cn vgsemi
 vs3633ga.pdf pdf_icon

VS3633GE

VS3633GA 30V/12A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 30 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10 V 11 m R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 16 m Enhancement mode VitoMOS Technology I D 12 A Optimized Qg, Qgd, and Qgd/Qgs ratio to minimize switching losses DFN2x2x0.75-6L Part ID Package Type Marking Packing VS3633GA DFN2x2x0.75-6L 3633 3000PCS/Reel Maximum ratings, at TA =25 C,

 9.1. Size:1065K  cn vgsemi
 vs3638de-g.pdf pdf_icon

VS3633GE

VS3638DE-G 30V/15A Dual N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 30 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10V 12 m Dual N-Channel R DS(on),TYP@ VGS=4.5V 20 m Enhancement mode I D(Silicon Limited) 27 A VitoMOS Technology I D(Package Limited) 15 A Fast Switching and High efficiency PDFN3333 Dual 100% Avalanche Tested,100% Rg Tested Part ID Package Type Marking Pac

 9.2. Size:1664K  cn vgsemi
 vs3638ge.pdf pdf_icon

VS3633GE

VS3638GE 30V/23A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 30 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10 V 11 m Enhancement mode R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 20 m VitoMOS Technology I D(Silicon Limited) 40 A Fast Switching and High efficiency I D(Package Limited) 23 A 100% Avalanche Tested,100% Rg Tested PDFN3333 Part ID Package Type Marking Packing VS3638GE PDFN3333 3638GE

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... VS3625DP2-G, VS3625GEMC, VS3625GPMC, VS3628DB, VS3628GA, VS3628GE, VS3628GP, VS3633GA, IRF3205, VS3638GA, VS3638GE, VS3640AA, VS3640AC, VS3640AD, VS3640AE, VS3640AS, VS3640AT