VS3645GE Todos los transistores

 

VS3645GE MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: VS3645GE
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 13 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 22 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 34 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 170 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0175 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN3333
     - Selección de transistores por parámetros

 

VS3645GE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1117K  cn vgsemi
vs3645ge.pdf pdf_icon

VS3645GE

VS3645GE30V/16A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 30 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 13.5 m Enhancement modeR DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 23 m VitoMOS TechnologyI D(Silicon Limited) 22 A Fast Switching and High efficiencyI D(Package Limited) 16 A 100% Avalanche Tested,100% Rg TestedPDFN3333Part ID Package Type Marking PackingVS3645GE PDFN3333

 7.1. Size:979K  cn vgsemi
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VS3645GE

VS3645GA30V/10A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 30 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 15 mR DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 23 m Enhancement mode VitoMOS Technology I D 10 A Low Gate ChargeDFN2x2x0.75-6LPart ID Package Type Marking PackingVS3645GA DFN2x2x0.75-6L 3645 3000PCS/ReelMaximum ratings, at TA =25C, unless otherwise specifiedSymbol Parameter Ratin

 8.1. Size:1068K  cn vgsemi
vs3645de-g.pdf pdf_icon

VS3645GE

VS3645DE-G30V/12A Dual N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 30 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10V 14 m Dual N-ChannelR DS(on),TYP@ VGS=4.5V 22 m Enhancement modeI D(Silicon Limited) 20 A VitoMOS TechnologyI D(Package Limited) 12 A Fast Switching and High efficiencyPDFN3333 Dual 100% Avalanche Tested,100% Rg TestedPart ID Package Type Marking Pac

 9.1. Size:493K  cn vanguard
vs3640ds.pdf pdf_icon

VS3645GE

VS3640DS 30V/9A Dual N-Channel Advanced Power MOSFET Features V DS 30 V R DS(on),TYP@ VGS=10 V 16 m Dual N-Channel5V Logic Level Control R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 24 m Enhancement mode I D 9 A Fast Switching High Effective SOP8 Pb-free lead plating; RoHS compliant; Halogen-Free Tape and reel Part ID Package Type Marking information VS

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: SI2309CDS | DMN2170U | STM4886E | SMS318 | AP75T10AGP | AM5350N | CS6N90FA9H

 

 
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